Установка роста кристаллов

Проектируемые и производимые нами установки представляют собой полный комплекс оборудования для выращивания монокристаллов и контроля процесса: печь, вытягивающая система, оборудование  вращения кристалла и/или тигля, весы для оценки веса кристалла (с точностью до 0,01г.), система контроля затравления (методом контроля проводимости системы затравка-расплав, кондуктометрическим способом,  что позволяет контролировать момент затравления, а в ряде случаев - оценивать размер пятна контакта и начало роста кристалла).

Проектирование установок роста монокристаллов по методу Бриджмена возможно выполнить как в вертикальном, так и горизонтальном исполнении.

Также мы готовы изготовить и поставить, в комплекте с установкой роста кристаллов, печь для наплавления шихты.

Каждая установка проектируется непосредственно под техническое задание, сформированное технологом заказчика:

• температурные режимы работы печи наплавления шихты, включая систему управления печью (программное управление температурой и временем процессов наплавления);
• температурный режим и  градиенты температурных полей непосредственно в печи роста кристалла, в том числе технологом, совместно со специалистами ООО "ИТМ", принимается решение о количестве зон нагрева, необходимых для обеспечения процесса роста кристалла.
• диапазон скоростей вытягивающей системы, для обеспечения затравки и стабильного роста качественного  кристалла;
• диапазон скоростей вращения затравки/кристалла и (при такой технологии роста кристалла) тигля с расплавом;
• диапазон взвешивания растущего кристалла (зависит от максимально возможного размера выращиваемого кристалла)
• необходимость дополнительного оборудования: система контроля затравления, видеосъемка процесса роста кристалла, система контроля/поддержания температуры окружающей среды, устройства подачи газов (при выращивании кристаллов в газовой среде) и контроля/регулирования подачи газов и т.д.

На наших установках успешно выращивают кристаллы изумрудов, GaAs, LBO, SBO, BBO, KGW, TeO2.

В состав поставляемого оборудования могут быть включены:

• Печь наплавления шихты, для наиболее полного заполнения тигля;
• Многозонная ростовая печь, с температурой в рабочей камере до 1700°С;
• Управляемое вытягивающее устройство, с широким диапазоном скоростей вытягивания кристалла;
• Устройство горизонтального перемещения (позиционирования) штока;
• Блок контроля веса, с интегрированной системой вращения затравки/кристалла;
• Комплексная система управления процессом роста монокристалла (система сбора данных), в том числе с возможностью удаленного управления процессом роста через локальную сеть.

Для Вашего тех процесса мы готовы разработать и изготовить опытную установку для выращивания монокристаллов как в воздушной, так и в газовых средах, а также произвести шефмонтаж. Мы осуществляем техническую поддержку и, при проведении опытного роста, производим требуемые коррекции параметров процесса/оборудования. После отработки процесса  роста и коррекции ТЗ готовы производить оборудование для роста серийных кристаллов с требуемыми характеристиками.